日本富士通（Fujitsu）公司近日表示，該公司成功研發(fā)出了全新的電阻型內(nèi)存產(chǎn)品ReRAM，這種內(nèi)存擁有超低的功耗，在讀寫時產(chǎn)品的電流僅僅為100微安，與之前的ReRAM內(nèi)存相比，新的技術(shù)使該產(chǎn)品的波動電阻數(shù)值大幅下降了90%，這能夠降低內(nèi)存的讀寫時產(chǎn)品的損耗，延長了內(nèi)存的使用壽命。

新款ReRAM內(nèi)存具有極高的讀取速度，完成1萬次讀寫只需要5毫秒的時間，富士通公司表示，將會在未來的幾年用這種新型ReRAM內(nèi)存取代目前的Flash閃存，理由是成本更低，性能更強。

富士通ReRAM內(nèi)存結(jié)構(gòu)圖

目前Flash閃存技術(shù)已經(jīng)非常成熟，但是由于制造工藝上的限制，其性能潛力已經(jīng)不大，ReRAM內(nèi)存正是作為Flash閃存的接班人而出現(xiàn)的，ReRAM內(nèi)存目前也得到了極大的發(fā)展，但是商用方面的發(fā)展速度還有些慢。

隨著技術(shù)的進步，F(xiàn)lash閃存在性能和成本上的問題日益突出之后，ReRAM就會水到渠成的進行全面的普及，這種比Flash閃存功耗低得多，性能高得多的存儲產(chǎn)品從明年下半年開始就將逐漸出現(xiàn)在消費電子產(chǎn)品中。

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